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J. Birnstock, M. Hofmann, P. Wellmann
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Yung-Hui Yeh,Yu-Rung Liu,Lieh-Chiu Lin, Bou-Chi Chang
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本文描述了一种基于掺杂电荷注入层的高性能新型OLED器件结构。将这些结构应用在激光退火多晶硅3.25寸QVGA主动驱动矩阵显示上，器件表现出较低的驱动电压。显示亮度为120cd/m2时，整体驱动电压低于7V，功耗为280mW。

   本文中的PIN-OLED（包含一个P型掺杂的空穴传输层，一个本征传导发光层，和一个N型掺杂电子传输层的OLED）器件结构：一个P-掺杂空穴传输层（NDP-2
），阳极，第一个中间层，发光层，第二个中间层（铯掺入BPhen），一个N－掺杂电子传输层，阴极。 


 
图1 P型驱动背底上制备底发射和顶发射器件的电压－电流－亮度曲线 



图2 140 0C温度处理下ITO阳极薄膜表面形貌AFM图 



图3 所得样品屏显示图片

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红绿蓝白OLED显	高效高工作稳定	高性能新型OLE	OLED器件的黑电	宽光谱发射微腔	具有最高能量效	基于白光OLED器	高效顶发射白光	大面积白光OLE