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OLED器件的黑电极研究
作者:Chia-Kuo…    文章来源:World LED    点击数:    更新时间:2008-3-22    
          ★★★ 【字体:

Chia-Kuo Yen, Ching-Ian Chao and En-Chung Chang
ITRI/Opto-Electronics & System Laboratory
Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C
Chien-To Yueh
WorldLED Optoelectronics Corp., Taiwan, R.O.C

本文研究了一种黑电极(BE),也就是夹在一个薄的金属层和一个反射层中间用作的控制层,以减少器件对自然光的反射。通过接入薄的金属层和反射金属层,应用时可以不考虑这种控制层功函数对器件的影响。加入这种黑电极的OLED器件,平均反射率比常规的使用圆偏振片(CP)OLED器件低5.9%。

器件结构:
器件A: ITO/NPB/Alq3/LiF/Al
器件B: ITO/NPB/Alq3/LiF/薄 Al/NPB/Al
器件C: ITO/NPB/Alq33/LiF/薄Al/rubrene/Al
器件D: ITO/NPB/Alq3/LiF/薄Al/LiF/Al 



图1 黑电极器件结构

表1 OLED器件特性 

D1(BE器件)

  
 
图2 3中64×128OLED屏照片(a) 标准屏(b)带圆偏振片的标准屏 (c)带黑电极的标准屏



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