韓國科學家利用雷射全像術(holography)的製程，在氮化鎵(GaN)為主要材料的發光二極體(LED)元件上，蝕刻出二維光子晶體(Photonic Crystal)，將輸出提高了兩倍以上。研究人員指出，相較於之前使用電子束微影法(Electron-beam lithography)的製作方式，這項研究工作的最大進步為全像術(Holography)可提供大面積製程，因此適合大量生產。

傳統的發光二極體受限於全反射(total internal reflection)及和橫向導波(lateral waveguiding)的現象，發出的光無法有效傳遞出元件，而有一大部份是浪費掉的。藉由將光子晶體結構整合入元件的構造中，發光二極體製造商便有機會去操控光子的行為，繼而改善光的輸出。

首爾大學的研究人員以波長350奈米的He-Cd離子雷射為光源，透過雙光束全像術(two-beam holography)，在LED晶圓上製作出正方晶格的光子晶體圖樣，圖形的週期分別為300、500及700奈米。研究團隊發現，晶格週期為500奈米的樣品表現最佳，能萃取出的光為傳統平面發光二極體的2.1倍。首爾大學的Heonsu Jeon指出，這項技術唯一的問題是操作電壓的微幅提升，但他們有信心在未來解決。

目前電腦模擬專家正忙於為發光波長約400奈米的光子晶體發光二極體(PC-LED)，找出最佳化的結構。Jeon等人的下一步則是評估此元件商業化的可行性。

Jeon表示，在發光二極體元件中加上光子晶體結構，並不會讓發光二極體的製造成本明顯增加。未來，雷射全像術的製作方式甚至可能被相位光罩(phase mask)所取代，以配合大量生產的條件。

GE weighs in	OLED化学家们又	利用激光成功制	ROF技术在光无	非晶硅电池板在	ZEMAX——設計	专家研究称“隐	基于GSM模块的	MAX6951型LED驱
红绿蓝白OLED显	高效高工作稳定	高性能新型OLE	OLED器件的黑电	宽光谱发射微腔	具有最高能量效	基于白光OLED器	高效顶发射白光	大面积白光OLE